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IPP60R160P6

Name: Infineon IPP60R160P6
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPP60R160P6
Price: 3.05 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IPP60R160P6

N° de fab. :

IPP60R160P6

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET HIGH POWER_LEGACY

Fiche technique:

IPP60R160P6 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	3,05 €	3,05 €
	1,99 €	19,90 €
	1,52 €	152,00 €
	1,26 €	630,00 €
	1,11 €	1 110,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	23.8 A
Rds On - Résistance drain-source:	144 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	44 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	176 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	CoolMOS
Conditionnement:	Tube
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	CN
Pays de diffusion:	DE
Pays d'origine:	MY
Temps de descente:	5.8 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	7.6 ns
Série:	CoolMOS P6
Nombre de pièces de l'usine:	500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	40 ns
Délai d'activation standard:	12.5 ns
Raccourcis pour l'article N°:	SP001017068 IPP60R160P6XKSA1
Poids de l''unité:	2 g