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IPP60R165CP

Name: Infineon IPP60R165CP
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPP60R165CP
Price: 4.07 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

726-IPP60R165CP

N° de fab. :

IPP60R165CP

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

IPP60R165CP Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	4,07 €	4,07 €
	2,69 €	26,90 €
	2,11 €	211,00 €
	1,87 €	935,00 €
	1,66 €	1 660,00 €

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

IPP60R165CPXKSA1

Conditionnement:

Tube

Disponibilité:

En stock

Prix:

4,11 €

Min.:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Série:	CoolMOS CE
Marque:	Infineon Technologies
Mode canal:	Enhancement
Configuration:	Single
Temps de descente:	5 ns
Id - Courant continu de fuite:	21 A
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Nombre de canaux:	1 Channel
Package/Boîte:	TO-220-3
Conditionnement:	Tube
Pd - Dissipation d’énergie :	192 W
Type de produit:	MOSFETs
Qg - Charge de grille:	52 nC
Rds On - Résistance drain-source:	150 mOhms
Temps de montée:	5 ns
Nombre de pièces de l'usine:	500
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	Si
Nom commercial:	CoolMOS
Polarité du transistor:	N-Channel
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	50 ns
Délai d'activation standard:	12 ns
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Raccourcis pour l'article N°:	SP000084279 IPP6R165CPXK IPP60R165CPXKSA1
Poids de l''unité:	2 g

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Fiche technique

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Product Catalogs

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Allemagne

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance CE CoolMOS™

Les MOSFET de puissance CE CoolMOS™ Infineon sont une plate-forme technologique constituée de MOSFET de puissance haute tension conformément au principe de super-jonction (SJ) et conçue pour répondre intégralement aux besoins du consommateur. La gamme CE CoolMOS™ offre des dispositifs 500 V, 600 V et 650 V ciblés pour les chargeurs basse puissance de dispositifs mobiles et outils motorisés, les adaptateurs pour ordinateurs portables et les applications TV LED ou LCD ainsi que l'éclairage LED. Cette nouvelle série CoolMOS™ a été optimisée en termes de coût afin de répondre intégralement aux besoins du consommateur sans compromis sur la qualité et la fiabilité éprouvées de la gamme CoolMOS™ et tout en restant bon marché.
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