IPP60R385CP

Infineon Technologies
726-IPP60R385CP
IPP60R385CP

Fab. :

Description :
MOSFET N-Ch 650V 9A TO220-3 CoolMOS CP

Cycle de vie:
NRND:
Non recommandé pour de nouvelles conceptions.
Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
Non stocké
Délai usine :
8 Semaines Délai de production estimé en usine.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
2,47 € 2,47 €
1,59 € 15,90 €
1,14 € 114,00 €
0,841 € 420,50 €
0,826 € 826,00 €
0,823 € 2 057,50 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Infineon
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
9 A
350 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
22 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Marque: Infineon Technologies
Configuration: Single
Pays d’assemblage: CN
Pays de diffusion: DE
Pays d'origine: CN
Temps de descente: 5 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 5 ns
Série: CoolMOS CE
Nombre de pièces de l'usine: 500
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 40 ns
Délai d'activation standard: 10 ns
Raccourcis pour l'article N°: IPP6R385CPXK SP000082281 IPP60R385CPXKSA1
Poids de l''unité: 2 g
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99