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IPP65R090CFD7XKSA1

Name: Infineon IPP65R090CFD7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-P65R090CFD7XKSA1
Price: 5.23 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-P65R090CFD7XKSA1

N° de fab. :

IPP65R090CFD7XKSA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET HIGH POWER_NEW

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

IPP65R090CFD7XKSA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	5,23 €	5,23 €
	2,85 €	28,50 €
	2,60 €	260,00 €
	2,23 €	1 115,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	700 V
Id - Courant continu de fuite:	25 A
Rds On - Résistance drain-source:	90 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	53 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	127 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	Infineon Technologies
Type de produit:	MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine:	500
Sous-catégorie:	Transistors
Raccourcis pour l'article N°:	IPP65R090CFD7 SP005413363