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IPT60R022S7XTMA1

Name: Infineon IPT60R022S7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPT60R022S7XTMA1
Price: 10.17 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IPT60R022S7XTMA1

N° de fab. :

IPT60R022S7XTMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET HIGH POWER_NEW

Fiche technique:

IPT60R022S7XTMA1 Fiche technique (PDF)

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	10,17 €	10,17 €
	7,03 €	70,30 €
	6,06 €	606,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)
	6,06 €	12 120,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	HSOF-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	23 A
Rds On - Résistance drain-source:	22 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	150 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	390 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	CoolMOS
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	9 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	4 ns
Série:	S7
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	150 ns
Délai d'activation standard:	30 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IPT60R022S7 SP003330410
Poids de l''unité:	771,020 mg

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Fiche technique

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Product Catalogs

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Allemagne
Pays d'origine de l'assemblage:: Malaisie
Pays de diffusion:: Allemagne

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance à super-jonction CoolMOS™ S7/S7T 600 V

Les MOSFET de puissance à super-jonction CoolMOS™ 600 V S7/S7T d'Infineon Technologies offrent un rapport qualité-prix idéal pour les applications de commutation basse fréquence. Les séries CoolMOS S7 et S7T se caractérisent par de faibles valeurs R_{DS (on)} pour un MOSFET à super-jonction HT, avec une augmentation de l'efficacité énergétique. Les MOSFET CoolMOS S7 et S7T d'Infineon sont optimisés pour les applications de commutation statique et à courant élevé. Les MOSFET sont fournis en boîtier TOLL ou Q-DPAK avec des variantes pour la partie supérieure et la partie inférieure. Les MOSFET CoolMOS SJ S7 ciblent les applications pour lesquelles les pertes de commutation ne sont pas pertinentes. Les dispositifs CoolMOS SJ-S7T intègrent un capteur de température pour améliorer la précision de détection de la température de jonction. Ces composants sont destinés aux solutions à semi-conducteurs, telles que les disjoncteurs à semi-conducteurs et les applications de relais à semi-conducteurs (SSR).

Découvrez la différence de puissance

Infineon est le leader du marché des semi-conducteurs de puissance. Fort de plus de 20 ans d’expérience et en tant qu’innovateur de la technologie révolutionnaire MOSFET à super-jonction CoolMOS™, Infineon continue d’être pionnier dans le domaine de la gestion de l’alimentation. Les clients peuvent choisir en fonction des exigences individuelles de conception/système parmi la plus large gamme de MOSFET SJ à base de silicium du marché. En tant que l’un des rares fabricants maîtrisant les trois principales technologies d’alimentation, Infineon complète cet assortiment avec une offre révolutionnaire à large bande interdite (WBG). Cette offre comprend des MOSFET CoolSiC™ au carbure de silicium, des diodes correspondantes et des HEMT e-mode CoolGaN™ au nitrure de gallium. Diverses solutions sont disponibles, offrant un excellent rapport qualité-prix, une robustesse inégalée, ou encore des appareils parmi les meilleurs de leur catégorie Cela permet aux clients de construire des applications plus efficaces, plus respectueuses de l’environnement et plus durables.

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Les transistors de puissance CoolMOS™ d'Infineon offrent tous les avantages d’un MOSFET à super-jonction à commutation rapide. Associé à la génération CoolMOS 7, l'Infineon continue de fixer des références de prix, de performances et de qualité.