IPTC034N15NM6ATMA1

Infineon Technologies
726-IPTC034N15NM6ATM
IPTC034N15NM6ATMA1

Fab. :

Description :
MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLT package for top-side cooling

Cycle de vie:
Nouveau produit:
Nouveau chez ce fabricant.
Modèle de ECAO:
Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

En stock: 1 385

Stock:
1 385 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
19 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
5,05 € 5,05 €
3,37 € 33,70 €
2,42 € 242,00 €
2,18 € 1 090,00 €
2,04 € 2 040,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1800)
2,04 € 3 672,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Infineon
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
150 V
194 A
3.2 mOhms
20 V
4 V
69 nC
- 55 C
+ 175 C
294 W
Enhancement
OptiMOS
Reel
Cut Tape
Marque: Infineon Technologies
Configuration: Single
Temps de descente: 12 ns
Transconductance directe - min.: 70 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 9 ns
Nombre de pièces de l'usine: 1800
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 26 ns
Délai d'activation standard: 15 ns
Raccourcis pour l'article N°: IPTC034N15NM6 SP006055102
Produits trouvés:
Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.
Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.
Attributs sélectionnés: 0

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Autriche
Pays d'origine de l'assemblage:
Malaisie
Pays de diffusion:
Allemagne
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 de 150 V

Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 de 150 V d’Infineon Technologies présentent une faible résistance RDS(on) de pointe, des performances de commutation améliorées et un excellent comportement EMI qui contribuent à une efficacité, une densité de puissance et une fiabilité inégalées. La technologie OptiMOS 6 offre des améliorations significatives par rapport à son prédécesseur, OptiMOS 5, notamment une résistance RDS(on) 41 % plus faible, un facteur de mérite FOMg de 20 % inférieur et un facteur de mérite FOMgd de 17 % inférieur. De plus, ces MOSFET présentent une robustesse élevée en matière d’avalanches et une température de jonction maximale de +175 °C, garantissant ainsi une exploitation robuste et stable dans des environnements exigeants. Avec un large portefeuille de boîtier, les MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 de 150 V d’Infineon sont conçus pour répondre aux exigences strictes des applications de fréquence à commutation élevée et faible, offrant une fiabilité améliorée du système et une durée de vie plus longue.

Transistors de puissance MOSFET OptiMOS™ 6

Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 Infineon Technologies offre une innovation de nouvelle génération, à la pointe et les meilleures performances de leur catégorie. La famille OptiMOS 6 utilise une technologie à couche mince qui procure des avantages significatifs en termes de performance. Par rapport aux autres produits, les MOSFET de puissance OptiMOS 6 offrent une réduction de RDS(ON) de 30 % et sont optimisés pour le redressement synchrone.