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IPTG039N15NM5ATMA1

Name: Infineon IPTG039N15NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-TG039N15NM5ATMA1
Price: 2.64 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

726-TG039N15NM5ATMA1

N° de fab. :

IPTG039N15NM5ATMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET IFX FET >100-150V

Fiche technique:

IPTG039N15NM5ATMA1 Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	HSOG-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	150 V
Id - Courant continu de fuite:	190 A
Rds On - Résistance drain-source:	3.9 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	74 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	319 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	OptiMOS
Conditionnement:	Reel
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	MY
Pays de diffusion:	DE
Pays d'origine:	DE
Temps de descente:	5.5 ns
Transconductance directe - min.:	110 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	4.5 ns
Série:	OptiMOS 5
Nombre de pièces de l'usine:	1800
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	23.5 ns
Délai d'activation standard:	19 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IPTG039N15NM5 SP005676943