Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

IPW60R099C7XKSA1

Name: Infineon IPW60R099C7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPW60R099C7XKSA1
Price: 5.73 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

726-IPW60R099C7XKSA1

N° de fab. :

IPW60R099C7XKSA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET HIGH POWER_NEW

Fiche technique:

IPW60R099C7XKSA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Infineon Technologies IPW60R099C7XKSA1

En stock: 165

Stock:: 165 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 8 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	5,73 €	5,73 €
	3,26 €	32,60 €
	2,72 €	272,00 €
	2,42 €	1 161,60 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	22 A
Rds On - Résistance drain-source:	85 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	42 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	110 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	CoolMOS
Conditionnement:	Tube
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	CN
Pays de diffusion:	AT
Pays d'origine:	DE
Temps de descente:	4.5 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	8 ns
Série:	CoolMOS C7
Nombre de pièces de l'usine:	240
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	54 ns
Délai d'activation standard:	11.8 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IPW60R099C7 SP001298004
Poids de l''unité:	6 g