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IPW60R190P6

Name: Infineon IPW60R190P6
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPW60R190P6
Price: 3.39 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IPW60R190P6

N° de fab. :

IPW60R190P6

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET HIGH POWER_PRC/PRFRM

Fiche technique:

IPW60R190P6 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	3,39 €	3,39 €
	2,22 €	22,20 €
	1,63 €	163,00 €
	1,44 €	691,20 €
	1,29 €	1 548,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	20.2 A
Rds On - Résistance drain-source:	171 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	37 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	151 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	CoolMOS
Conditionnement:	Tube
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	7 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	8 ns
Série:	CoolMOS P6
Nombre de pièces de l'usine:	240
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	45 ns
Délai d'activation standard:	15 ns
Raccourcis pour l'article N°:	SP001017090 IPW60R190P6FKSA1
Poids de l''unité:	6 g