IPW65R035CFD7AXKSA1

Infineon Technologies
726-IPW65R035CFD7AXK
IPW65R035CFD7AXKSA1

Fab. :

Description :
MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS

Modèle de ECAO:
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5,81 € 581,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Infineon
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
63 A
35 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
145 nC
- 55 C
+ 150 C
305 W
Enhancement
AEC-Q101
CoolMOS
Tube
Marque: Infineon Technologies
Type de produit: MOSFETs
Série: CoolMOS CFD7A
Nombre de pièces de l'usine: 240
Sous-catégorie: Transistors
Raccourcis pour l'article N°: IPW65R035CFD7A SP005324274
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Attributs sélectionnés: 0

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Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays d'origine de l'assemblage:
Chine
Pays de diffusion:
Autriche
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance à super-jonction CFD7A CoolMOS™ 650 V

Les MOSFET de puissance à super-jonction CFD7A CoolMOS 650 V™ d'Infineon répondent aux applications de véhicules électriques telles que les chargeurs embarqués, les convertisseurs CC-CC HT-LV et les alimentations auxiliaires.  Grâce à la résistance améliorée aux radiations cosmiques, les MOSFET de puissance à super-jonction CFD7A CoolMOS permettent d’appliquer des tensions de batterie plus élevées à un taux de fiabilité égal à celui des générations précédentes et à d’autres offres du marché. Les MOSFET de puissance à super-jonction CFD7A CoolMOS assurent des niveaux de haut rendement dans les topologies de commutation dure et résonnante, en particulier dans des conditions de faible charge. Des fréquences de commutation plus élevées à des niveaux de perte de grille comparables à ceux des anciennes générations peuvent être atteintes. La réduction du poids du système et de l'encombrement permettent des conceptions plus compactes.