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IPW65R041CFDFKSA2

Name: Infineon IPW65R041CFDFKSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPW65R041CFDFKS2
Price: 11.26 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IPW65R041CFDFKS2

N° de fab. :

IPW65R041CFDFKSA2

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET HIGH POWER_LEGACY

Fiche technique:

IPW65R041CFDFKSA2 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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11/06/2026 attendu
Délai usine :: 15

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	11,26 €	11,26 €
	6,79 €	67,90 €
	5,89 €	589,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	700 V
Id - Courant continu de fuite:	68.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	41 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	300 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	500 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	Infineon Technologies
Type de produit:	MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine:	240
Sous-catégorie:	Transistors
Raccourcis pour l'article N°:	IPW65R041CFD SP001987360
Poids de l''unité:	6 g

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Fiche technique

IPW65R041CFDFKSA2 Fiche technique (PDF)

Product Catalogs

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Allemagne
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Allemagne

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

CoolMOS™ Power Transistors

Infineon CoolMOS™ Power Transistors use the revolutionary CoolMOS™ technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon. CoolMOS™ C6 and E6 power transistor series combine the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high-class innovation. The resulting devices provide all the benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter, and cooler.