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IPW65R080CFDA

Name: Infineon IPW65R080CFDA
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPW65R080CFDA
Price: 7.1 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IPW65R080CFDA

N° de fab. :

IPW65R080CFDA

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET N-Ch 650V 43.3A TO247-3

Fiche technique:

IPW65R080CFDA Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	7,10 €	7,10 €
	5,16 €	51,60 €
	4,30 €	430,00 €
	3,83 €	1 838,40 €
	3,58 €	4 296,00 €

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

IPW65R080CFDAFKSA1

Conditionnement:

Tube

Disponibilité:

En stock

Prix:

6,98 €

Min.:

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Fab. :

Infineon Technologies

N° de fab. :

IPW65R080CFDAFKSA1

Description :

MOSFET N-Ch 650V 43.3A TO247-3

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	43.3 A
Rds On - Résistance drain-source:	72 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	161 nC
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	391 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q100
Nom commercial:	CoolMOS
Conditionnement:	Tube
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	6 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	18 ns
Série:	CoolMOS CFDA
Nombre de pièces de l'usine:	240
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	85 ns
Délai d'activation standard:	20 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IPW65R8CFDAXK SP000875806 IPW65R080CFDAFKSA1
Poids de l''unité:	6 g