IPZA65R018CFD7XKSA1

Infineon Technologies
726-ZA65R018CFD7XKSA
IPZA65R018CFD7XKSA1

Fab. :

Description :
MOSFET HIGH POWER_NEW

Modèle de ECAO:
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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Infineon
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
700 V
106 A
18 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
234 nC
- 55 C
+ 150 C
446 W
Enhancement
Tube
Marque: Infineon Technologies
Pays d’assemblage: CN
Pays de diffusion: DE
Pays d'origine: DE
Type de produit: MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine: 240
Sous-catégorie: Transistors
Raccourcis pour l'article N°: IPZA65R018CFD7 SP005413354
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

MOSFET de puissance à super-jonction CFD7 CoolMOS 650 V

Les MOSFET de puissance à super-jonction CFD7 CoolMOS™ 650 V Infineon Technologies sont des diodes ultra-rapides qui étendent l'offre de classe de tension de la famille CFD7. Les MOSFET de puissance sont fournis avec une tension de claquage supplémentaire de 50 V, une diode de corps rapide intégrée, des performances de commutation supérieures et un excellent comportement thermique. Les MOSFET de puissance CFD7 offrent le plus haut rendement dans les topologies de commutation résonnante, par exemple les topologies LLC et à pont complet et décalage de phase (ZVS). Les MOSFET combinent tous les avantages d'une technologie de commutation rapide avec une robustesse de calcul dur supérieure. Ces MOSFET de puissance prennent en charge la technologie CFD7 CoolMOS™, qui répond aux normes de fiabilité et est compatible avec les solutions à haute densité de puissance.