IR2127SPBF
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Fab. :
Description :
Commandes de grilles 1 HI SIDE DRVR NONINVERTING INPUT
En stock: 8 117
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Stock:
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Délai usine :
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24 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Prix (EUR)
| Qté. | Prix unitaire |
Ext. Prix
|
|---|---|---|
| 2,18 € | 2,18 € | |
| 1,63 € | 16,30 € | |
| 1,33 € | 33,25 € | |
| 1,27 € | 127,00 € | |
| 1,25 € | 312,50 € | |
| 1,20 € | 600,00 € | |
| 1,17 € | 1 170,00 € | |
| 1,14 € | 2 850,00 € | |
| 1,11 € | 4 218,00 € |
Autre conditionnement
Fiche technique
Application Notes
- Gate Drive Characteristics and Requirements for HEXFET® power MOSFETs (PDF)
- HV Floating MOS Gate Drivers (PDF)
- IRS212(7,8,71) and IR212(7,8,71) Comparison (PDF)
- Understanding HVIC Datasheet Specifications (PDF)
- Use Gate Charge to Design the Gate Drive Circuit for Power MOSFETs and IGBTs (PDF)
- Using the Current Sensing IR212x Gate Driver ICs (PDF)
Product Catalogs
Technical Resources
- Design Tip - Using Monolithic High Voltage Gate Drivers (PDF)
- Low Gate Charge HEXFETS simplify Gate Drive and Lower Cost (PDF)
- Managing Transients in Control IC Driven Power Stages (PDF)
- PWM Control Methods Increases Efficiency and Reliability; Extends Battery Charge-cycle Time (PDF)
- Using Control ICs to Generate Neg. Gate Bias for MOSFETs & IGBTs (PDF)
- TARIC:
- 8542319000
- CNHTS:
- 8542399000
- CAHTS:
- 8542310000
- USHTS:
- 8542390090
- KRHTS:
- 8542311000
- MXHTS:
- 8542310302
- ECCN:
- EAR99
- Pays d'origine:
- Taïwan
- Pays d'origine de l'assemblage:
- Thaïlande
- Pays de diffusion:
- Taïwan
France
