IR21834STRPBF
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Fab. :
Description :
Commandes de grilles Hlf Brdg Drvr Sft Trn On Lw Sd Invrt
En stock: 5 198
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Stock:
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Délai usine :
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24 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Prix (EUR)
| Qté. | Prix unitaire |
Ext. Prix
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|---|---|---|
| Ruban à découper / MouseReel™ | ||
| 2,18 € | 2,18 € | |
| 1,63 € | 16,30 € | |
| 1,49 € | 37,25 € | |
| 1,33 € | 133,00 € | |
| 1,26 € | 315,00 € | |
| 1,22 € | 610,00 € | |
| 1,20 € | 1 200,00 € | |
| Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500) | ||
| 1,11 € | 2 775,00 € | |
| 1,09 € | 5 450,00 € | |
Autre conditionnement
Fiche technique
Application Notes
- Gate Drive Characteristics and Requirements for HEXFET® power MOSFETs (PDF)
- HV Floating MOS Gate Drivers (PDF)
- IRS218(1,14) and IR218(1,14) Comparison (PDF)
- IRS218(3,34) and IR218(3,34) Comparison (PDF)
- Understanding HVIC Datasheet Specifications (PDF)
- Use Gate Charge to Design the Gate Drive Circuit for Power MOSFETs and IGBTs (PDF)
Models
Product Catalogs
Technical Resources
- Design Tip - Using Monolithic High Voltage Gate Drivers (PDF)
- High Current Buffer for Control IC's (PDF)
- Low Gate Charge HEXFETS simplify Gate Drive and Lower Cost (PDF)
- Managing Transients in Control IC Driven Power Stages (PDF)
- PWM Control Methods Increases Efficiency and Reliability; Extends Battery Charge-cycle Time (PDF)
- Using Control ICs to Generate Neg. Gate Bias for MOSFETs & IGBTs (PDF)
- TARIC:
- 8542319000
- CNHTS:
- 8542399000
- CAHTS:
- 8542390000
- USHTS:
- 8542310075
- KRHTS:
- 8542311000
- MXHTS:
- 8542310302
- ECCN:
- EAR99
France
