IR2214SSPBF
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Fab. :
Description :
Commandes de grilles 1200V half-bridge,3A DESAT &Soft SD,440n
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Stock:
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Délai usine :
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20 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Prix (EUR)
| Qté. | Prix unitaire |
Ext. Prix
|
|---|---|---|
| 5,65 € | 5,65 € | |
| 4,33 € | 43,30 € | |
| 3,83 € | 95,75 € | |
| 3,64 € | 364,00 € | |
| 3,50 € | 875,00 € | |
| 3,35 € | 1 675,00 € | |
| 3,30 € | 3 300,00 € | |
| 4 400 | Devis |
Autre conditionnement
Fiche technique
Application Notes
- Buffer Interface with Negative Gate Bias for Desat Protected HVICs used in High Power Applications (PDF)
- Gate Drive Characteristics and Requirements for HEXFET® power MOSFETs (PDF)
- HV Floating MOS Gate Drivers (PDF)
- Understanding HVIC Datasheet Specifications (PDF)
- Use Gate Charge to Design the Gate Drive Circuit for Power MOSFETs and IGBTs (PDF)
Product Catalogs
Technical Resources
- Design Tip - Using Monolithic High Voltage Gate Drivers (PDF)
- High Current Buffer for Control IC's (PDF)
- Low Gate Charge HEXFETS simplify Gate Drive and Lower Cost (PDF)
- Managing Transients in Control IC Driven Power Stages (PDF)
- PWM Control Methods Increases Efficiency and Reliability; Extends Battery Charge-cycle Time (PDF)
- Short-Circuit Protection for Power Inverters (PDF)
- Using Control ICs to Generate Neg. Gate Bias for MOSFETs & IGBTs (PDF)
- TARIC:
- 8542319000
- CNHTS:
- 8542399000
- CAHTS:
- 8542390000
- USHTS:
- 8542390090
- KRHTS:
- 8542311000
- MXHTS:
- 8542310302
- ECCN:
- EAR99
- Pays d'origine:
- Taïwan
- Pays d'origine de l'assemblage:
- Malaisie
- Pays de diffusion:
- Taïwan
France
