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IRF1010EPBF

Name: Infineon IRF1010EPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IRF1010EPBF
Price: 1.77 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

942-IRF1010EPBF

N° de fab. :

IRF1010EPBF

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC

Fiche technique:

IRF1010EPBF Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,77 €	1,77 €
	0,98 €	9,80 €
	0,791 €	79,10 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	84 A
Rds On - Résistance drain-source:	12 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	130 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	200 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	CN
Pays de diffusion:	CN
Pays d'origine:	US
Type de produit:	MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Poids de l''unité:	2 g