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IRF1407STRLPBF

Name: Infineon IRF1407STRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IRF1407STRLPBF
Price: 2.4 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

942-IRF1407STRLPBF

N° de fab. :

IRF1407STRLPBF

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET MOSFT 75V 100A 7.8mOhm 160nC

Cycle de vie:

Fin de vie:

Ce produit va devenir obsolète et ne sera plus disponible chez le fabricant.

Fiche technique:

IRF1407STRLPBF Fiche technique (PDF)

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 800)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,40 €	2,40 €
	1,56 €	15,60 €
	1,07 €	107,00 €
	0,929 €	464,50 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 800)
	0,814 €	651,20 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Fab. :

Infineon Technologies

N° de fab. :

IRF3808STRLPBF

Description :

MOSFET MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC

Comparer avec la pièce actuelle

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	75 V
Id - Courant continu de fuite:	100 A
Rds On - Résistance drain-source:	7.8 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	160 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	200 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	CN
Pays de diffusion:	CN
Pays d'origine:	MY
Type de produit:	MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Poids de l''unité:	330 mg