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IRF2805PBF

Name: Infineon IRF2805PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IRF2805PBF
Price: 2.89 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

942-IRF2805PBF

N° de fab. :

IRF2805PBF

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET MOSFT 55V 175A 4.7mOhm 150nC

Fiche technique:

IRF2805PBF Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	2,89 €	2,89 €
	1,46 €	14,60 €
	1,32 €	132,00 €
	1,07 €	535,00 €
	0,98 €	980,00 €
	0,972 €	1 944,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	55 V
Id - Courant continu de fuite:	175 A
Rds On - Résistance drain-source:	4.7 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	150 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	330 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	110 ns
Transconductance directe - min.:	91 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	120 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	68 ns
Délai d'activation standard:	14 ns
Poids de l''unité:	2 g