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IRF60SC241ARMA1

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N° Mouser :

726-IRF60SC241ARMA1

N° de fab. :

IRF60SC241ARMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET N

Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

IRF60SC241ARMA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Disponibilité

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Remplacement possible

Fab. :

Infineon Technologies

N° de fab. :

IPF012N06NF2SATMA1

Description :

MOSFET IFX FET 60V

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-263-7
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	360 A
Rds On - Résistance drain-source:	950 uOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.2 V
Qg - Charge de grille:	311 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	417 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Infineon Technologies
Type de produit:	MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Transistors
Raccourcis pour l'article N°:	IRF60SC241 SP001646066
Poids de l''unité:	1,600 g