IRF7779L2TRPBF
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Fab. :
Description :
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7.7mOhms 11nC
En stock: 6 082
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Stock:
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Délai usine :
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15 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Prix (EUR)
| Qté. | Prix unitaire |
Ext. Prix
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|---|---|---|
| Ruban à découper / MouseReel™ | ||
| 5,75 € | 5,75 € | |
| 3,86 € | 38,60 € | |
| 2,80 € | 280,00 € | |
| 2,61 € | 1 305,00 € | |
| 2,50 € | 2 500,00 € | |
| 2,43 € | 4 860,00 € | |
| Bobine complète(s) (commandez en multiples de 4000) | ||
| 2,43 € | 9 720,00 € | |
Fiche technique
Application Notes
- Application Note Introduction to Infineons Power MOSFET Simulation Models (PDF)
- Application Note Linear Mode Operation and SOA Power MOSFETs (PDF)
- Application Note Some key facts about avalanche (PDF)
- DirectFET® Technology: Board Mounting Guidelines. (PDF)
- MOSFET detailed MOSFET behavioral analysis (Compresser)
- MOSFET OptiMOS™ optimum selection for synchronous rectification (PDF)
- MOSFET OptiMOS™ selection for DC-DC converters (PDF)
Models
Product Catalogs
SPICE Models
- TARIC:
- 8541290000
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- MXHTS:
- 85412999
- ECCN:
- EAR99
- Pays d'origine:
- Malaisie
- Pays d'origine de l'assemblage:
- Mexique
- Pays de diffusion:
- Malaisie
France
