IRFB7430PBF

Infineon Technologies
942-IRFB7430PBF
IRFB7430PBF

Fab. :

Description :
MOSFET 40V 1.3mOhm 195A HEXFET 375W 300nC

Cycle de vie:
NRND:
Non recommandé pour de nouvelles conceptions.
Modèle de ECAO:
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En stock: 904

Stock:
904 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
8 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
3,30 € 3,30 €
1,67 € 16,70 €
1,51 € 151,00 €
1,24 € 620,00 €
1,15 € 1 150,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Infineon
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
40 V
409 A
1.3 mOhms
- 20 V, 20 V
1.8 V
460 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
StrongIRFET
Tube
Marque: Infineon Technologies
Configuration: Single
Type de produit: MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine: 1000
Sous-catégorie: Transistors
Poids de l''unité: 2 g
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Attributs sélectionnés: 0

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Codes de conformité
TARIC:
8542319000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129010
MXHTS:
8542310302
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Allemagne
Pays d'origine de l'assemblage:
Chine
Pays de diffusion:
Allemagne
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.