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IRFP4229PBFXKMA1

Name: Infineon IRFP4229PBFXKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IRFP4229PBFXKMA1
Price: 4 EUR
Availability: InStock

N° Mouser :

726-IRFP4229PBFXKMA1

N° de fab. :

IRFP4229PBFXKMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET IR FET >60-400V

Fiche technique:

IRFP4229PBFXKMA1 Fiche technique (PDF)

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Délai usine :: 39

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	4,00 €	4,00 €
	2,28 €	22,80 €
	1,87 €	187,00 €
	1,61 €	644,00 €
	1,50 €	1 800,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247AC-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	250 V
Id - Courant continu de fuite:	44 A
Rds On - Résistance drain-source:	46 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Qg - Charge de grille:	72 nC
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	310 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	19 ns
Transconductance directe - min.:	83 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	27 ns
Nombre de pièces de l'usine:	400
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	44 ns
Délai d'activation standard:	25 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IRFP4229PBFXKMA1 SP005732690

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Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Allemagne

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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