IRFPW4468PBFXKSA1

Infineon Technologies
726-IRFPW4468PBFXKSA
IRFPW4468PBFXKSA1

Fab. :

Description :
MOSFET StrongIRFET Power MOSFET, 100 V

Cycle de vie:
Nouveau produit:
Nouveau chez ce fabricant.
Modèle de ECAO:
Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

En stock: 247

Stock:
247 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
19 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
5,08 € 5,08 €
2,87 € 28,70 €
2,38 € 238,00 €
2,06 € 988,80 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Infineon
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
PG-TO-247-3
N-Channel
1 Channel
100 V
195 A
2.6 mOhms
20 V
4 V
363 nC
- 55 C
+ 175 C
517 W
Enhancement
StrongIRFET
Tube
Marque: Infineon Technologies
Configuration: Single
Temps de descente: 278 ns
Transconductance directe - min.: 185 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 245 ns
Nombre de pièces de l'usine: 240
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1-N-Channel
Délai de désactivation type: 171 ns
Délai d'activation standard: 53 ns
Raccourcis pour l'article N°: IRFPW4468PBF SP005990634
Produits trouvés:
Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.
Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.
Attributs sélectionnés: 0

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Taïwan
Pays d'origine de l'assemblage:
Chine
Pays de diffusion:
Allemagne
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.