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IRFS38N20DPBF

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N° Mouser :

942-IRFS38N20DPBF

N° de fab. :

IRFS38N20DPBF

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 54mOhms 60nC

Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

IRFS38N20DPBF Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Infineon Technologies

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	200 V
Id - Courant continu de fuite:	44 A
Rds On - Résistance drain-source:	54 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Qg - Charge de grille:	60 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	320 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	47 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	95 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	29 ns
Délai d'activation standard:	16 ns
Raccourcis pour l'article N°:	SP001571754
Poids de l''unité:	330 mg