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IRGP4262DPBF

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N° Mouser :

942-IRGP4262DPBF

N° de fab. :

IRGP4262DPBF

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

IGBTs 650V Lo VCEon Trench Co-Pack IGBT

Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

IRGP4262DPBF Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Disponibilité

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	IGBTs
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-247AC-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.7 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	60 A
Pd - Dissipation d’énergie :	250 W
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Conditionnement:	Tube
Marque:	Infineon Technologies
Courant de collecteur continu Ic max.:	60 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	100 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	25
Sous-catégorie:	IGBTs
Raccourcis pour l'article N°:	SP001541786
Poids de l''unité:	5,420 g