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ISC008N06LM6ATMA1

Name: Infineon ISC008N06LM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC008N06LM6ATMA
Price: 3.53 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-ISC008N06LM6ATMA

N° de fab. :

ISC008N06LM6ATMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

ISC008N06LM6ATMA1 Fiche technique (PDF)

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	3,53 €	3,53 €
	2,44 €	24,40 €
	2,08 €	208,00 €
	1,87 €	935,00 €
	1,67 €	1 670,00 €
	1,65 €	4 125,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)
	1,65 €	8 250,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PG-TDSON-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	378 A
Rds On - Résistance drain-source:	800 uOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.3 V
Qg - Charge de grille:	68 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	221 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	CN
Pays de diffusion:	AT
Pays d'origine:	AT
Temps de descente:	7.4 ns
Transconductance directe - min.:	150 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	4.8 ns
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	48.2 ns
Délai d'activation standard:	12.5 ns
Raccourcis pour l'article N°:	ISC008N06LM6 SP005570789

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ISC008N06LM6ATMA1 Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
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USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 60 V

Les MOSFET de puissance 60 V OptiMOS™ 6 d'Infineon Technologies offrent des performances supérieures grâce à une technologie MOSFET de puissance robuste. Les MOSFET de puissance 60 V OptiMOS fournissent une R_DS(on) inférieure de 37 % et des performances FOM_Qg x R_DS(on) ~ 25 % supérieures à celles des OptiMOS 5. Les MOSFET de puissance OptiMOS 6 60 V d’Infineon offrent une efficacité et une densité de puissance système supérieures dans les topologies à commutation douce et les applications à basse fréquence.