ISC009N06NM6ATMA1

Infineon Technologies
726-ISC009N06NM6ATMA
ISC009N06NM6ATMA1

Fab. :

Description :
MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

Cycle de vie:
Nouveau produit:
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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Infineon
Catégorie du produit: MOSFET
Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
344 A
900 uOhms
20 V
3.3 V
97 nC
- 55 C
+ 175 C
221 W
Enhancement
OptiMOS
Reel
Cut Tape
Marque: Infineon Technologies
Configuration: Single
Temps de descente: 8.5 ns
Transconductance directe - min.: 110 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 6 ns
Série: OptiMOS 6
Nombre de pièces de l'usine: 5000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 32.9 ns
Délai d'activation standard: 13.5 ns
Raccourcis pour l'article N°: ISC009N06NM6 SP005570342
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Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Autriche
Pays d'origine de l'assemblage:
Chine
Pays de diffusion:
Autriche
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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