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ISC015N06NM5LF2ATMA1

Name: Infineon ISC015N06NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC015N06NM5LF2A
Price: 4.23 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

726-ISC015N06NM5LF2A

N° de fab. :

ISC015N06NM5LF2ATMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET IFX FET 60V

Fiche technique:

ISC015N06NM5LF2ATMA1 Fiche technique (PDF)

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	4,23 €	4,23 €
	2,80 €	28,00 €
	1,98 €	198,00 €
	1,74 €	870,00 €
	1,73 €	1 730,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)
	1,59 €	7 950,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TDSON-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	275 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.55 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.45 V
Qg - Charge de grille:	90 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	217 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	15 ns
Transconductance directe - min.:	28 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	16 ns
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N Channel
Délai de désactivation type:	31 ns
Délai d'activation standard:	17 ns
Raccourcis pour l'article N°:	ISC015N06NM5LF2ATMA1 SP005987895

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Fiche technique

ISC015N06NM5LF2ATMA1 Fiche technique (PDF)

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Australie
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Autriche

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance OptiMOS™ 5

Infineon OptiMOS™ 5 Power MOSFETs are designed to meet requirements for improved system efficiency while reducing system costs. These devices feature lower RDS(on) and Figure of Merit (RDS(on) x Qg) compared to alternative devices. They are designed using a new silicon technology, optimized to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements. Typical applications for these MOSFETs include server, datacom and client applications in the computing industry. They can also be used in synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) as well as motor control, solar micro inverters and fast switching DC/DC converter applications.
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