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ISC016N08NM8ATMA1

Name: Infineon ISC016N08NM8ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC016N08NM8ATMA
Price: 4.18 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

726-ISC016N08NM8ATMA

N° de fab. :

ISC016N08NM8ATMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

ISC016N08NM8ATMA1 Fiche technique (PDF)

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	2,05 €	205,00 €
	1,71 €	855,00 €
	1,59 €	1 590,00 €
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	1,35 €	6 750,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PG-TDSON-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	268 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.54 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	76 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	263 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	OptiMOS
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	7.2 ns
Transconductance directe - min.:	55 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	6.1 ns
Série:	OptiMOS 8
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	28 ns
Délai d'activation standard:	14 ns
Raccourcis pour l'article N°:	ISC016N08NM8 SP006165693

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Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Autriche
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Autriche

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance OptiMOS™ 8

Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 8 d’Infineon Technologies sont des MOSFET de 80 V (ISC016N08NM8 et ISC016N08NM8SC) ou 100 V (ISC019N10NM8SC) de niveau normal à canal N avec une très faible résistance à l'état passant [R_DS(ON)]. Les ISC016N08NM8SC et ISC019N10NM8SC sont disponibles dans des boîtiers TDSON-8 refroidis des deux côtés, tandis que l’ISC016N08NM8 est livré dans un boîtier TDSON-8 standard. Chaque boîtier offre une résistance thermique supérieure et est testé en avalanche 100 %. Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 8 d'Infineon Technologies présentent une diode de récupération douce et sont sans plomb, sans halogène et conformes à la norme RoHS.