Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

ISC019N03L5SATMA1

Name: Infineon ISC019N03L5SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC019N03L5SATMA
Price: 1.18 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

726-ISC019N03L5SATMA

N° de fab. :

ISC019N03L5SATMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET IFX FET 15V-30V

Fiche technique:

ISC019N03L5SATMA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Infineon Technologies ISC019N03L5SATMA1

En stock: 7 009

Stock:: 7 009 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 52 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,18 €	1,18 €
	0,703 €	7,03 €
	0,47 €	47,00 €
	0,372 €	186,00 €
	0,318 €	318,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)
	0,286 €	1 430,00 €
	0,28 €	2 800,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TDSON-FL-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	100 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.9 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.2 V
Qg - Charge de grille:	22 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	69 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	OptiMOS ~ StrongIRFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Infineon Technologies
Type de produit:	MOSFETs
Série:	N-Channel
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Raccourcis pour l'article N°:	ISC019N03L5S SP005408617