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ISC025N08NM5LFATMA1

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N° Mouser :

726-ISC025N08NM5LFAT

N° de fab. :

ISC025N08NM5LFATMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET

Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

ISC025N08NM5LFATMA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Fab. :

Infineon Technologies

N° de fab. :

ISC025N08NM5LF2ATMA1

Description :

MOSFET IFX FET > 60-80V

Comparer avec la pièce actuelle

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TSDSON-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	198 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.55 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.9 V
Qg - Charge de grille:	96 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	217 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	Not Available
Temps de descente:	13 ns
Transconductance directe - min.:	51 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	13 ns
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	26 ns
Délai d'activation standard:	16 ns
Raccourcis pour l'article N°:	ISC025N08NM5LF SP005750930