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ISC025N08NM6SCATMA1

Name: Infineon ISC025N08NM6SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC025N08NM6SCAT
Price: 4.43 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

726-ISC025N08NM6SCAT

N° de fab. :

ISC025N08NM6SCATMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

ISC025N08NM6SCATMA1 Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	WSON-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	170 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	46 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	167 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	OptiMOS
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	5.3 ns
Transconductance directe - min.:	40 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	8.6 ns
Série:	OptiMOS 6
Nombre de pièces de l'usine:	4000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	22 ns
Délai d'activation standard:	15 ns
Raccourcis pour l'article N°:	ISC025N08NM6SC SP006197456

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Fiche technique

ISC025N08NM6SCATMA1 Fiche technique (PDF)

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Autriche
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Autriche

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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