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ISC037N12NM6ATMA1

Name: Infineon ISC037N12NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC037N12NM6ATMA
Price: 3.9 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-ISC037N12NM6ATMA

N° de fab. :

ISC037N12NM6ATMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET IFX FET >100-150V

Fiche technique:

ISC037N12NM6ATMA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	3,90 €	3,90 €
	2,56 €	25,60 €
	1,89 €	189,00 €
	1,63 €	815,00 €
	1,57 €	1 570,00 €
	1,51 €	3 775,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)
	1,41 €	7 050,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TDSON-8FL
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	120 V
Id - Courant continu de fuite:	163 A
Rds On - Résistance drain-source:	3.7 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.6 V
Qg - Charge de grille:	46 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	214 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	OptiMOS
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	7.2 ns
Transconductance directe - min.:	47 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	5.6 ns
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	17 ns
Délai d'activation standard:	12 ns
Raccourcis pour l'article N°:	ISC037N12NM6 SP005434366