ISC056N08NM6ATMA1

Infineon Technologies
726-ISC056N08NM6ATMA
ISC056N08NM6ATMA1

Fab. :

Description :
MOSFET IFX FET > 60-80V

Modèle de ECAO:
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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Infineon
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Reel
Cut Tape
Marque: Infineon Technologies
Type de produit: MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine: 5000
Sous-catégorie: Transistors
Raccourcis pour l'article N°: ISC056N08NM6 SP005861639
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V

Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V d'Infineon Technologies  établissent des performances de référence dans le secteur grâce à une large offre de portefeuille, notamment un boîtier PQFN 3,3 mm x 3,3 mm, SuperSO8, un boîtier PQFN 5 mm x 6 mm refroidissement bilatéral et un boîtier PQFN de 3,3 mm x 3,3 mm Source-Down. La famille 80 V est idéale pour les applications à haute fréquence de commutation telles que les télécommunications, les serveurs et l'énergie solaire. Les améliorations de performance d'OptiMOS™ 6 80 V démontrent également des avantages dans les systèmes de gestion de batterie (BMS).