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ISP26DP06NMSATMA1

Name: Infineon ISP26DP06NMSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISP26DP06NMSATMA
Price: 0.65 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-ISP26DP06NMSATMA

N° de fab. :

ISP26DP06NMSATMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS

Cycle de vie:

Fin de vie:

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Fiche technique:

ISP26DP06NMSATMA1 Fiche technique (PDF)

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	0,403 €	4,03 €
	0,26 €	26,00 €
	0,224 €	224,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,218 €	654,00 €
	0,197 €	1 182,00 €
	0,172 €	1 548,00 €
	0,137 €	3 288,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-223-3
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	1.9 A
Rds On - Résistance drain-source:	260 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	10.8 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	5 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	CN
Pays de diffusion:	AT
Pays d'origine:	MY
Temps de descente:	5 ns
Transconductance directe - min.:	3.1 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	7 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	15 ns
Délai d'activation standard:	5 ns
Raccourcis pour l'article N°:	ISP26DP06NMS SP004987242
Poids de l''unité:	116,010 mg