S80KS5122GABHI020

Infineon Technologies
727-S5122GABHI020
S80KS5122GABHI020

Fab. :

Description :
DRAM SPCM

Modèle de ECAO:
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En stock: 233

Stock:
233
Expédition possible immédiatement
Sur commande:
338
23/02/2026 attendu
Délai usine :
15
Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
7,71 € 7,71 €
7,09 € 70,90 €
6,83 € 170,75 €
6,70 € 335,00 €
6,60 € 660,00 €
6,16 € 2 082,08 €
6,10 € 6 185,40 €
2 704 Devis

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Infineon
Catégorie du produit: DRAM
RoHS:  
HyperRAM
512 Mbit
8 bit
200 MHz
FBGA-24
64 M x 8
35 ns
1.7 V
2 V
- 40 C
+ 85 C
Tray
Marque: Infineon Technologies
Sensibles à l’humidité: Yes
Style de montage: SMD/SMT
Type de produit: DRAM
Nombre de pièces de l'usine: 338
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
Courant d’alimentation maximal: 44 mA
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Attributs sélectionnés: 0

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CNHTS:
8542329010
USHTS:
8542320032
ECCN:
3A991.b.2

Mémoire HYPERRAM™ 2.0 S80KS5122 et S80KS5123

Les mémoires HYPERRAM™ 2.0 S80KS5122 et S80KS5123 d'Infineon Technologies sont des RAM dynamiques (DRAM) auto-rafraîchissantes à haute vitesse, à faible nombre de broches et à faible puissance, destinées aux systèmes intégrés haute performance nécessitant une extension de la mémoire pour des besoins de bloc-notes ou de mise en mémoire tampon. Les produits HYPERRAM prennent en charge les interfaces HYPERBUS™ et xSPI octales conformes au profil JEDEC JESD251  qui s'appuient sur les caractéristiques héritées des mémoires à interface parallèle et série tout en améliorant les performances et la facilité de conception et en réduisant le coût du système.  L'architecture à faible nombre de broches rend les HYPERRAM particulièrement adaptées aux applications limitées en termes d'alimentation et d'espace sur la carte qui nécessitent une RAM externe hors puce.