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SPD04P10PGBTMA1

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N° Mouser :

726-SPD04P10PGBTMA1

N° de fab. :

SPD04P10PGBTMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET P-Ch -100V -4A DPAK-2

Cycle de vie:

Fin de vie:

Ce produit va devenir obsolète et ne sera plus disponible chez le fabricant.

Fiche technique:

SPD04P10PGBTMA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Fab. :

Infineon Technologies

N° de fab. :

SPD04P10PL G

Description :

MOSFET P-Ch -100V 4.2A DPAK-2

Cycle de vie:

Fin de vie: Ce produit va devenir obsolète et ne sera plus disponible chez le fabricant.

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	4 A
Rds On - Résistance drain-source:	644 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	12 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	38 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	4.5 ns
Transconductance directe - min.:	1.2 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	8.6 ns
Série:	XPD04P10
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	14 ns
Délai d'activation standard:	5.7 ns
Raccourcis pour l'article N°:	SPD04P10P G SP000212230
Poids de l''unité:	330 mg