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SPD50P03LGXT

Name: Infineon SPD50P03LGXT
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-SPD50P03LGXT
Price: 0.94 EUR
Availability: OutOfStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

726-SPD50P03LGXT

N° de fab. :

SPD50P03LGXT

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET P-Ch -30V 50A DPAK-4 OptiMOS P

Fiche technique:

SPD50P03LGXT Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

SPD50P03L G

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

2,73 €

Min.:

Fab. Numéro de référence:

SPD50P03LGBTMA1

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

2,84 €

Min.:

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Infineon Technologies

N° de fab. :

SPD50P03LGBTMA1

Description :

MOSFET P-Ch -30V 50A DPAK-4 OptiMOS P

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	50 A
Rds On - Résistance drain-source:	5.7 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	126 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	150 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q100
Conditionnement:	Reel
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	MY
Pays de diffusion:	AT
Pays d'origine:	MY
Temps de descente:	104 ns
Transconductance directe - min.:	47 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	21.7 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	139 ns
Délai d'activation standard:	14.8 ns
Raccourcis pour l'article N°:	SP000371908 SPD50P03L G SPD50P03LGBTMA1
Poids de l''unité:	330 mg