SPP20N60CFDXKSA1

Infineon Technologies
726-SPP20N60CFDXKSA1
SPP20N60CFDXKSA1

Fab. :

Description :
MOSFET N-Ch 600V 20.7A TO220-3

Cycle de vie:
NRND:
Non recommandé pour de nouvelles conceptions.
Modèle de ECAO:
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En stock: 605

Stock:
605 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
23 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
3,61 € 3,61 €
2,61 € 26,10 €
2,24 € 224,00 €
1,76 € 880,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Infineon
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
20.7 A
190 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
95 nC
- 55 C
+ 150 C
208 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Marque: Infineon Technologies
Configuration: Single
Temps de descente: 6.4 ns
Transconductance directe - min.: 17.5 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 15 ns
Série: CoolMOS CFD
Nombre de pièces de l'usine: 500
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 59 ns
Délai d'activation standard: 12 ns
Raccourcis pour l'article N°: SPP20N60CFD SP000681060
Poids de l''unité: 2 g
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Attributs sélectionnés: 0

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Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:
Chine
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.