SPW55N80C3FKSA1

Infineon Technologies
726-SPW55N80C3FKSA1
SPW55N80C3FKSA1

Fab. :

Description :
MOSFET N-Ch 850V 54.9A TO247-3

Modèle de ECAO:
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En stock: 294

Stock:
294 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
8 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
13,49 € 13,49 €
8,37 € 83,70 €
7,54 € 754,00 €

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:
Conditionnement:
Tube
Disponibilité:
En stock
Prix:
12,75 €
Min.:
1

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Infineon
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
800 V
54.9 A
77 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
288 nC
- 55 C
+ 150 C
500 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Marque: Infineon Technologies
Configuration: Single
Pays d’assemblage: CN
Pays de diffusion: DE
Pays d'origine: MY
Temps de descente: 9 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 21 ns
Série: CoolMOS C3
Nombre de pièces de l'usine: 240
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 200 ns
Délai d'activation standard: 45 ns
Raccourcis pour l'article N°: SPW55N80C3 SP000849356
Poids de l''unité: 6 g
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

Application Notes

EOL

Models

Product Catalogs

SPICE Models

Technical Resources

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99