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LS5911-SOIC-8L-A-CT

Name: Linear Integrated Systems LS5911-SOIC-8L-A-CT
Brand: Linear Integrated Systems
SKU: 722-LS5911SOIC8LACT
Price: 10.75 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

722-LS5911SOIC8LACT

N° de fab. :

LS5911-SOIC-8L-A-CT

Fab. :

Linear Integrated Systems

Description :

JFET Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET

Fiche technique:

LS5911-SOIC-8L-A-CT Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	10,75 €	10,75 €
	8,75 €	87,50 €
	7,29 €	729,00 €
	6,49 €	3 245,00 €
	6,07 €	6 070,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Linear Integrated Systems
Catégorie du produit:	JFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOIC-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Configuration:	Dual
Vds - Tension de rupture drain-source:	- 25 V
Vgs - Tension de rupture grille-source:	- 25 V
Tension gâchette-cathode de coupure:	- 5 V
Courant drain/source à Vgs=0:	40 mA
Id - Courant continu de fuite:	5 mA
Pd - Dissipation d’énergie :	500 mW
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	LS5911
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Linear Integrated Systems
Transconductance directe - min.:	7000 uS
Tension drain-porte max.:	10 V
Type de produit:	JFETs
Nombre de pièces de l'usine:	100
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	73 mg

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Fiche technique

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Linear Systems Date Code Policy (PDF)

Codes de conformité

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: États-Unis
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Low Noise Dual N-Channel JFETs

Linear Integrated Systems Low Noise Dual N-Channel JFETs are wideband, high gain, monolithic dual, N-channel JFETs. The low-noise JFETs are improved pin-for-pin replacements for the Fairchild, Motorola, National, and Siliconix-Vishay 2N5911 series. The devices are housed in TO-71 6L, TO-78 7L, PDIP 8L, SOIC 8L, and SOT-23 6L packages and in die form.