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GTRA412852FC-V1-R2

MACOM

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N° Mouser :

941-GTRA412852FCV1R2

N° de fab. :

GTRA412852FC-V1-R2

Fab. :

MACOM

Description :

FET GaN 235W, GaN HEMT, 48V, 3700-4100 MHz, 248 PP

Fiche technique:

GTRA412852FC-V1-R2 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	MACOM
Catégorie du produit:	FET GaN
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
Marque:	MACOM
Conditionnement:	Reel
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	250
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	GaN HEMT

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Fiche technique

GTRA412852FC-V1-R2 Fiche technique (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-04-25 (PDF)

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Codes de conformité

USHTS:: 8541290055
ECCN:: 3A001.b.3.a.4

Classifications d’origine

Pays d'origine:: États-Unis
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

PRODUITS PRÉSENTÉS

MACOM

GaN on SiC Transistors

Next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power.

CGHV31500F1 2.7GHz to 3.1GHz, 500W GaN HEMT

Offers high efficiency and high gain designed explicitly for the 2.7GHz to 3.1GHz S-Band radar band.

CGHV35400F 400W 50Ω I/O Matched GaN HEMT

Offers high efficiency, high gain, and vast bandwidth capabilities.

CGHV38375F 400W IM GaN on SiC Transistor

400W HPA matched to 50Ω at both input and output ports., 2.75GHz to 3.75GHz frequency.

JFET RF et FET LDMOS 5G

Transistors haute puissance thermiquement améliorés pour la prochaine génération de transmission sans fil.

Disponibilité

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