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MMDT5551-TP

Name: Micro Commercial Components (MCC) MMDT5551-TP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-MMDT5551-TP
Price: 0.37 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

833-MMDT5551-TP

N° de fab. :

MMDT5551-TP

Fab. :

Micro Commercial Components (MCC)

Description :

Transistors bipolaires - BJT 200mA 160V

Fiche technique:

MMDT5551-TP Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,378 €	0,38 €
	0,236 €	2,36 €
	0,148 €	14,80 €
	0,107 €	53,50 €
	0,084 €	84,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,072 €	216,00 €
	0,061 €	366,00 €
	0,052 €	468,00 €
	0,05 €	1 200,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Micro Commercial Components (MCC)
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-363-6
Polarité du transistor:	NPN
Configuration:	Dual
Courant CC max. du collecteur:	200 mA
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	160 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	180 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	6 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	150 mV
Pd - Dissipation d’énergie :	200 mW
Produit gain-bande passante fT :	300 MHz
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	MMDT5551
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Micro Commercial Components (MCC)
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	80
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	9 mg

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Fiche technique

MMDT5551-TP Fiche technique (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-3-13 (PDF)

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

MMDT5551HE3 Dual NPN Transistor

Micro Commercial Components (MCC) MMDT5551HE3 Dual NPN Transistor is an AEC-Q101 qualified small-signal Bipolar Junction Transistor (BJT) with a 600mA collector current. This BJT features a 180V collector-base voltage, 160V collector-emitter voltage, 6V emitter-base voltage, 200mA collector power dissipation and comes in a SOT-363 package. The MMDT5551HE3 transistor also features a 6pF maximum output capacitance, 300MHz maximum transition frequency, and a -55°C to 150°C operating junction temperature range. This BJT adheres to Moisture Sensitivity Level 1 (MSL 1), and the epoxy meets the UL 94V-0 flammability rating. The MMDT5551HE3 transistor is lead-free, halogen-free, and RoHS-compliant.