APT45GP120B2DQ2G

Microchip Technology
494-APT45GP120B2DQ2G
APT45GP120B2DQ2G

Fab. :

Description :
IGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 45 A TO-247 MAX
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Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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En stock: 17

Stock:
17 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
12 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
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Ext. Prix:
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Tarif est.:

Prix (EUR)

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Ext. Prix
17,69 € 17,69 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Microchip
Catégorie du produit: IGBTs
RoHS:  
Si
T-Max-3
Through Hole
Single
1.2 kV
3.3 V
- 30 V, 30 V
113 A
625 W
- 55 C
+ 150 C
Tube
Marque: Microchip Technology
Courant de collecteur continu Ic max.: 113 A
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: PH
Courant de fuite gâchette-émetteur: 100 nA
Type de produit: IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 1
Sous-catégorie: IGBTs
Nom commercial: POWER MOS 7 IGBT
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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