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APT50M50JVFR

Name: Microchip APT50M50JVFR
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-APT50M50JVFR
Price: 61.03 EUR
Availability: InStock

N° Mouser :

494-APT50M50JVFR

N° de fab. :

APT50M50JVFR

Fab. :

Microchip Technology

Description :

Modules MOSFET FREDFET MOS 5 500 V 50 mOhm SOT-227

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Fiche technique:

APT50M50JVFR Fiche technique (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Microchip
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	SOT-227-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	500 V
Id - Courant continu de fuite:	77 A
Rds On - Résistance drain-source:	50 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	700 W
Conditionnement:	Tube
Marque:	Microchip Technology
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	12 ns
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	20 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Type:	MOSFET
Délai de désactivation type:	85 ns
Délai d'activation standard:	25 ns
Poids de l''unité:	30 g