Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

APTGX600A170TDP3EG

Name: Microchip APTGX600A170TDP3EG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-TGX600A170TDP3EG
Price: 190.89 EUR
Availability: OutOfStock

N° Mouser :

579-TGX600A170TDP3EG

N° de fab. :

APTGX600A170TDP3EG

Fab. :

Microchip Technology

Description :

Modules IGBT PM-IGBT-TFS-DP3

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

APTGX600A170TDP3EG Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Microchip Technology APTGX600A170TDP3EG

Disponibilité

Stock:: 0

Vous pouvez toujours acheter ce produit pour une commande de réassortiment.

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Sur commande:: 10

25/01/2027 attendu
Délai usine :: 66

Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Long délai signalé sur ce produit.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Ce produit est expédié GRATUITEMENT

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	190,89 €	190,89 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Microchip
Catégorie du produit:	Modules IGBT
RoHS:
Produit:	IGBT Modules
Configuration:	Dual
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	1.7 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.7 V
Courant collecteur continu de 25 C:	600 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	200 nA
Pd - Dissipation d’énergie :	2.272 kW
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Marque:	Microchip Technology
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	Not Available
Tension de l'émetteur de porte max.:	20 V
Style de montage:	Press Fit
Type de produit:	IGBT Modules
Nombre de pièces de l'usine:	1
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Technologie:	Si

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

APTGX600A170TDP3EG Fiche technique (PDF)

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

Modules d'alimentation IGBT 7

Les modules d'alimentation à transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) 7de Microchip Technology, sont composés de plusieurs puces IGBT et de diodes roue libre encapsulées dans un seul boîtier, créant ainsi une solution compacte et efficace pour les applications à haute puissance. Ces modules contrôlent et convertissent l’énergie électrique et disposent d'une capacité de puissance accrue et de pertes de puissance réduites. La gamme IGBT 7 comprend une variété de types de boîtier et de topologies avec une plage de tension de 1 200 V à 1 700 V et une plage de courant de 50 A à 900 A. Ces modules d'alimentation constituent une amélioration par rapport aux anciennes générations en offrant des V_CE(sat) et V_f inférieurs, une contrôlabilité de dv/dt améliorée, une capacité de courant 50 % plus élevée, une capacité de surcharge à T_j +175 °C, une douceur de diode roue libre améliorée et un entraînement plus simple. Ces fonctionnalités offrent une proposition de valeur différenciée de haute densité de puissance, des coûts système réduits, une efficacité plus élevé, une facilité d'utilisation, une durabilité et un délai de commercialisation plus rapide.