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APTGX900A120TDP3EG

Name: Microchip APTGX900A120TDP3EG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-TGX900A120TDP3EG
Price: 204.3 EUR
Availability: OutOfStock

N° Mouser :

579-TGX900A120TDP3EG

N° de fab. :

APTGX900A120TDP3EG

Fab. :

Microchip Technology

Description :

Modules IGBT PM-IGBT-TFS-DP3

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

APTGX900A120TDP3EG Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	Microchip
Catégorie du produit:	Modules IGBT
RoHS:
Produit:	IGBT Modules
Configuration:	Dual
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	1.2 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.6 V
Courant collecteur continu de 25 C:	900 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	300 nA
Pd - Dissipation d’énergie :	3.26 kW
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Marque:	Microchip Technology
Tension de l'émetteur de porte max.:	20 V
Style de montage:	Press Fit
Type de produit:	IGBT Modules
Nombre de pièces de l'usine:	1
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Technologie:	Si

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Non disponible
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Modules d'alimentation IGBT 7

Les modules d'alimentation à transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) 7de Microchip Technology, sont composés de plusieurs puces IGBT et de diodes roue libre encapsulées dans un seul boîtier, créant ainsi une solution compacte et efficace pour les applications à haute puissance. Ces modules contrôlent et convertissent l’énergie électrique et disposent d'une capacité de puissance accrue et de pertes de puissance réduites. La gamme IGBT 7 comprend une variété de types de boîtier et de topologies avec une plage de tension de 1 200 V à 1 700 V et une plage de courant de 50 A à 900 A. Ces modules d'alimentation constituent une amélioration par rapport aux anciennes générations en offrant des V_CE(sat) et V_f inférieurs, une contrôlabilité de dv/dt améliorée, une capacité de courant 50 % plus élevée, une capacité de surcharge à T_j +175 °C, une douceur de diode roue libre améliorée et un entraînement plus simple. Ces fonctionnalités offrent une proposition de valeur différenciée de haute densité de puissance, des coûts système réduits, une efficacité plus élevé, une facilité d'utilisation, une durabilité et un délai de commercialisation plus rapide.