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APTMC120TAM17CTPAG

Name: Microchip APTMC120TAM17CTPAG
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MC120TAM17CTPAG
Price: 1483.76 EUR
Availability: OutOfStock

N° Mouser :

494-MC120TAM17CTPAG

N° de fab. :

APTMC120TAM17CTPAG

Fab. :

Microchip Technology

Description :

Modules à semi-conducteurs discrets DOR CC6542

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Fiche technique:

APTMC120TAM17CTPAG Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	Microchip
Catégorie du produit:	Modules à semi-conducteurs discrets
RoHS:
Technologie:	Si
Conditionnement:	Tube
Marque:	Microchip Technology
Type de produit:	Discrete Semiconductor Modules
Nombre de pièces de l'usine:	1
Sous-catégorie:	Discrete Semiconductor Modules

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Codes de conformité

USHTS:: 8541590080
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Non disponible
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC)

Les semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) de Microchip Technology constituent une option innovante pour les concepteurs d'électronique de puissance qui cherchent à améliorer l'efficacité du système, à en réduire le facteur de forme et à augmenter la température de fonctionnement de produits couvrant les segments de marché industriel, médical, militaire/aérospatial, aéronautique et des communications. Les MOSFET au SiC et les diodes à barrière Schottky (SBD) au SiC de nouvelle génération de Microchip sont conçus avec une capacité répétitive et élevée de commutation inductive non bridée (UIS) et ses MOSFET au SiC conservent une capacité UIS élevée d'environ 10 J/cm² à 15 J/cm² et une protection robuste contre les courts-circuits de 3 à 5 ms. Les SBD SiC de Microchip Technology sont conçus avec un courant de choc, une tension directe, une résistance thermique et une capacité thermique équilibrés à de faibles courants inverses pour une perte de commutation réduite. Les MOSFET SiC et les SBD SiC peuvent aussi être combinés pour être utilisés dans des modules.