MSC010SDA070K

Microchip Technology
494-MSC010SDA070K
MSC010SDA070K

Fab. :

Description :
Diodes Schottky SiC 700 V, 10 A SiC SBD
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Fiche technique:
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1,51 € 151,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Microchip
Catégorie du produit: Diodes Schottky SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-220-2
Single
10 A
700 V
1.5 V
90 A
200 uA
- 55 C
+ 175 C
MSC0
Tube
Marque: Microchip Technology
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: PH
Type de produit: SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine: 50
Sous-catégorie: Diodes & Rectifiers
Vr - Tension inverse: 700 V
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Attributs sélectionnés: 0

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CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99

Semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC)

Les semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) de Microchip Technology constituent une option innovante pour les concepteurs d'électronique de puissance qui cherchent à améliorer l'efficacité du système, à en réduire le facteur de forme et à augmenter la température de fonctionnement de produits couvrant les segments de marché industriel, médical, militaire/aérospatial, aéronautique et des communications. Les MOSFET au SiC et les diodes à barrière Schottky (SBD) au SiC de nouvelle génération de Microchip sont conçus avec une capacité répétitive et élevée de commutation inductive non bridée (UIS) et ses MOSFET au SiC conservent une capacité UIS élevée d'environ 10 J/cm2 à 15 J/cm2 et une protection robuste contre les courts-circuits de 3 à 5 ms. Les SBD SiC de Microchip Technology sont conçus avec un courant de choc, une tension directe, une résistance thermique et une capacité thermique équilibrés à de faibles courants inverses pour une perte de commutation réduite. Les MOSFET SiC et les SBD SiC peuvent aussi être combinés pour être utilisés dans des modules.

Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

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